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电子元器件详细资料 » IC[29145] » STP10NM60ND
型号:STP10NM60ND类别:FET - 单制造商:STMicroelectronics
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
系列FDmesh™ II
制造商STMicroelectronics
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C600 毫欧 @ 4A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs20nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds577pF @ 50V
功率_最大70W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220
包装管件

供应商

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